碳化硅载盘-圆盘

碳化硅载盘,也称碳化硅托盘、SIC托盘,碳化硅蚀刻盘,ICP蚀刻盘。在半导体行业具有广泛应用,CVD、RTP/RTA、真空溅射、刻蚀、蒸镀、气体沉淀等,比如,在对衬底进行刻蚀时,需通过碳化硅载盘承载半导体衬底。 碳化硅具有耐高温(1500℃)、高比刚度、低的热膨胀系数以及极佳的化学惰性,使其在光伏、半导体、新能源、航空航天工业中高温、高腐蚀、高精度工况中应用广泛。如碳化硅研磨盘应用于硅片抛光领域,比传统的刚玉抛光盘寿命提高2-3倍。碳化硅筒体耐高温、耐磨应用在高温硅料生产的传输通道,在生产过程中不会污染硅料,保证产品品质。

碳化硅载盘-圆产品介绍

碳化硅载盘,也称碳化硅托盘、SIC托盘,碳化硅蚀刻盘,ICP蚀刻盘。在半导体行业具有广泛应用,CVD、RTP/RTA、真空溅射、刻蚀、蒸镀、气体沉淀等,比如,在对衬底进行刻蚀时,需通过碳化硅载盘承载半导体衬底。

碳化硅具有耐高温(1500℃)、高比刚度、低的热膨胀系数以及极佳的化学惰性,使其在光伏、半导体、新能源、航空航天工业中高温、高腐蚀、高精度工况中应用广泛。如碳化硅研磨盘应用于硅片抛光领域,比传统的刚玉抛光盘寿命提高2-3倍。碳化硅筒体耐高温、耐磨应用在高温硅料生产的传输通道,在生产过程中不会污染硅料,保证产品品质。

碳化硅载盘材质成分是纯SiC(纯度>99.9%),与石墨基载盘相比,其使用寿命是后者的四倍,且长期使用不变形,稳定性好,能够耐各种强酸强碱化学试剂腐蚀(比如FH酸、浓H2SO4)。SiC载盘还具有优秀的导热性、低膨胀系数,抗热冲击性佳,耐电浆冲击性等特点。

碳化硅载盘是采用高纯超细碳化硅微粉,通过静压工艺成型、经2450℃高温烧结而制成。可根据用户设计图纸要求进行外径、厚度尺寸,穴位数量、尺寸、取片槽位置和形状进行精加工,以满足用户的具体使用要求。


碳化硅载盘主要特点有:

1.耐高温--1800℃温度下正常使用;

2.高热导性--和石墨材料的导热性相当;

3.硬度高--硬度仅次于金刚石、立方氮化硼;

4.耐腐蚀--强酸、强碱对其无任何腐蚀,抗腐蚀性优于碳化钨和氧化铝;

5.重量轻--密度3.10g/cm3,与铝接近;

6.不变形--极小的热膨胀系数;

7.抗热震--该材料可承受急剧的温度变化,抗热冲击,耐急冷急热,性能稳定。


碳化硅载盘主要应用领域:

LED芯片制造中的RTP/RTA快速高温热处理工艺、CVD、MOCVD、真空磁控溅射、刻蚀、蒸镀、气体沉淀。


基本参数

内容 单位 参数
碳化硅含量(Composition :SIC) VOL% 99.2-99.99
密度20℃(Density 20℃) g/cm3 ≥3.10
抗弯强度20℃(Flexural Strength 20℃) MPa 320-400
抗弯强度1300℃(Flexural Strength 1300℃) MPa 360-410
热膨胀系数(Coefficient of thermal ) 10(-6)*k(-1) 4.0
热导率20℃(Thermal conductivity 20℃) W.m(-1)*k(-1) 140
最高使用温度 1900

 

内容 参数
材料 纯硅 SiC
晶圆直径 100/125/150/200/300mm或根据客户要求定制
晶圆厚度 250~750um+25um或根据客户要求定制
口径大小和形状 根据客户要求定制
口径深度 200~500um或视基盘厚度深度可调
平/或缺口 Available
其他 可加工异形槽、方形槽等,根据客户设计要求定制

 

 

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